FreePaper.usFree Paper


upArrow

برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی می توانید عنوان یا آدرس و یا برای جستجوی دقیق DOI را وارد کنید


جستجوی مقاله در سامانه فری پیپر

 

upArrow


جستجوی اعتبار ژورنال های ISI و SCOPUS

 

upArrow


ورود به سامانه فری پیپر

 

 

نام کاربري :
کلمه عبور  :
  دوشنبه 23 فروردين
عضويت در سايت | يادآوري کلمه عبور


دانلود مجله های انگلیسی

 



جستجوی مقاله از اینترنت

 

 

مقاله انگلیسی | مقاله فارسی
برای یافتن و دانلود مقالات پولی و غیر رایگان ابتدا عنوان و یا موضوع مقاله مورد نظر خود را جستجو کنید و سپس لینک مقاله یافت شده را کپی کرده و در کادر دانلود مقاله، که در بالای این صفحه قرار دارد بچسبانید و مقاله مورد نظر را رایگان دانلود کنید.

راهنمای دانلود رایگان مقاله های علمی: با استفاده از امکان جستجوی مقالات انگلیسی از سمت چپ صفحه و یا با استفاده از گوگل، موضوع و یا کلمات کلیدی مورد نظر خود را جستجو کنید تا صفحه دانلود مقاله مورد نظر خود را بیابید و سپس عنوان صحیح و کامل مقاله و یا آدرس آن را کپی کرده و در کادر دریافت مقاله، در بالای این صفحه بچسبانید و روی دکمه دریافت کلیک کنید. (فیلم آموزش دانلود مقاله را تماشا کنید)
ترجمه فارسی کامپیوتری: همکنون به صورت آزمایشی برخی مقالات سایت های Sciencedirect و IEEE و Springer را می توان همراه با ترجمه فارسی اولیه (ترجمه کامپیوتری)، رایگان دریافت کرد. ترجمه های اولیه معمولا نیاز به ویرایش نهایی دارند.
برای اینکه قادر به دانلود مقاله باشید باید حتما عضو و مشترک سایت فری پیپر بوده و اعتبار لازم را داشته باشید

Gate Length Dependence of Large-Signal Output Characteristics for the MOSFETs in the Breakdown Region Using X-Parameter Model


,
Electron Device Letters, IEEE - Ieee


      دانلود مقاله در فرمت پی دی اف

959 K

 جستجو و دانلود پایان نامه ها و رساله های مرتبط با این مقاله

 جستجو و دانلود کتاب های مرتبط با این مقاله از سایت بوک یار

Electron Device Letters, IEEE


عنوان فارسی: دروازه وابستگی طول بزرگ سیگنال ویژگی های خروجی برای ماسفت در ناحیه شکست با استفاده از X-پارامتر مدل
منتشر شده در ژورنال: Electron Device Letters, IEEE
تعداد دریافت: 0

   ترجمه فارسی این مقاله به صورت دو زبانه

  این ترجمه کامپیوتری بوده و نیاز به ویرایش دارد

  ترجمه دقیق و روان این مقاله

Keywords: Avalanche breakdown, Logic gates, MOSFET, Power amplifiers, Semiconductor device modeling, X-parameter model, avalanche breakdown, gate length, power amplifier, ,

     موجود در سايت    فقط از وب
 نتايج 1 تا 0
دريافت
High-breakdown voltage and low onresistance AlGaN/GaN on Si MOS-HEMTS employing an extended tan gate on HfO2 gate insulator
,
Electronics Letters
ieeexplore.ieee.org
ولتاژ بالا تجزیه و onresistance کم AlGaN / GaN و در سی MOS-HEMTS به کارگیری دروازه قهوهای مایل به زرد گسترده در HfO2 دروازه عایق

 274 K
5
17/07/2015
OFF-state degradation and correlated gate dielectric breakdown in high voltage drain extended transistors: A review
,
Microelectronics Reliability on ScienceDirect
www.sciencedirect.com
تخریب حالت خاموش و همبسته دروازه شکست دی الکتریک در تخلیه ولتاژ بالا ترانزیستور گسترش: مروری

 2632 K
16
05/03/2016
The impact of gate-oxide breakdown on SRAM stability
,
Electron Device Letters, IEEE
ieeexplore.ieee.org
تاثیر فروپاشی دروازه اکسید در ثبات SRAM

 194 K
12
26/06/2014
Gate Length Dependence of Large-Signal Output Characteristics for the MOSFETs in the Breakdown Region Using X-Parameter Model
,
Electron Device Letters, IEEE
ieeexplore.ieee.org
دروازه وابستگی طول بزرگ سیگنال ویژگی های خروجی برای ماسفت در ناحیه شکست با استفاده از X-پارامتر مدل

 959 K
0
23/11/2015
Understanding of hard and soft breakdown phenomena in thin gate oxides through carrier transport properties after breakdown
,
Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on
ieeexplore.ieee.org
درک پدیده شکست سخت و نرم در دروازه نازک اکسید از طریق خواص حمل و نقل حامل بعد از شکست

 449 K
25
17/10/2015
نتايج 1 تا 10 از 150 نتيجه يافت شده
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • 9
  • 10
  • 11
  • 12
  • 13
  • 14
  • 15
بعدي
©2013 FreePaper.us